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Rohm Semiconductor SCT3060ALGC11
- Número de pieza de MFG
- SCT3060ALGC11
- Cantidad disponible
- 11570 Piezas
- Precio de referencia
- USD 9.432
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Rohm Semiconductor
- Breve descripción
- - MOSFET NCH 650V 39A TO247N
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SCT3060ALGC11.pdf
SCT3060ALGC11 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SCT3060ALGC11 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SCT3060ALGC11 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| SCT3060ALGC11 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 39A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 13A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 6.67mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 852pF @ 500V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 165W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247N |
| Paquete / Caja | TO-247-3 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SCT3060ALGC11 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SCT3060ALGC11-FT |
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