casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SCT3160KLGC11
Número de pieza del fabricante | SCT3160KLGC11 |
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Número de parte futuro | FT-SCT3160KLGC11 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SCT3160KLGC11 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208 mOhm @ 5A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 2.5mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 18V |
Vgs (Max) | +22V, -4V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 398pF @ 800V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 103W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247N |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCT3160KLGC11 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SCT3160KLGC11-FT |
ATP106-TL-H
ON Semiconductor
ATP304-TL-H
ON Semiconductor
ATP104-TL-H
ON Semiconductor
NVATS5A112PLZT4G
ON Semiconductor
ATP103-TL-H
ON Semiconductor
ATP108-TL-H
ON Semiconductor
ATP112-TL-H
ON Semiconductor
ATP202-TL-H
ON Semiconductor
NVATS5A106PLZT4G
ON Semiconductor
ATP102-TL-H
ON Semiconductor
EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
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10CL025ZE144I8G
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5SGXEA7H3F35I4
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EP3SE50F780I3
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