casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5623US
Número de pieza del fabricante | 1N5623US |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N5623US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5623US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 500ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 15pF @ 12V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, A |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5A |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5623US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5623US-FT |
JAN1N3646
Microsemi Corporation
JAN1N4944
Microsemi Corporation
JAN1N5187
Microsemi Corporation
JAN1N5188
Microsemi Corporation
JAN1N5190
Microsemi Corporation
JAN1N5415
Microsemi Corporation
JAN1N5415US
Microsemi Corporation
JAN1N5417US
Microsemi Corporation
JAN1N5418
Microsemi Corporation
JAN1N5418US
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel