casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N3646
Número de pieza del fabricante | JAN1N3646 |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N3646 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/279 |
JAN1N3646 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1750V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 250mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 5V @ 250mA |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1750V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | S, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | S, Axial |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3646 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N3646-FT |
VSSAF512HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
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