casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N5188
Número de pieza del fabricante | JAN1N5188 |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N5188 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/424 |
JAN1N5188 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 9A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 250ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | B, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5188 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N5188-FT |
VSSAF515HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5L45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
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M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
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10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
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XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel