casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N5418US
Número de pieza del fabricante | JAN1N5418US |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N5418US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/411 |
JAN1N5418US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 9A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, B |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5B |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5418US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N5418US-FT |
VSSAF5M10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5M15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel