casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZXMP3F37N8TA
Número de pieza del fabricante | ZXMP3F37N8TA |
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Número de parte futuro | FT-ZXMP3F37N8TA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXMP3F37N8TA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1678pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.56W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMP3F37N8TA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZXMP3F37N8TA-FT |
IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R120C7ATMA1
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IPB60R180C7ATMA1
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
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A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
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10AX016C3U19I2LG
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EP3SE50F780I3
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