casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB60R120C7ATMA1
Número de pieza del fabricante | IPB60R120C7ATMA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPB60R120C7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPB60R120C7ATMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 19A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 390µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1500pF @ 400V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 92W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO263-3 |
Paquete / Caja | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R120C7ATMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPB60R120C7ATMA1-FT |
DMP4010SK3-13
Diodes Incorporated
DMTH4007SK3-13
Diodes Incorporated
ZXMN6A09KTC
Diodes Incorporated
DMP4015SK3-13
Diodes Incorporated
DMPH6023SK3-13
Diodes Incorporated
DMTH4007LK3-13
Diodes Incorporated
DMN4040SK3-13
Diodes Incorporated
DMP4047SK3-13
Diodes Incorporated
DMP6180SK3-13
Diodes Incorporated
DMP6180SK3Q-13
Diodes Incorporated
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel