casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMP6180SK3-13
Número de pieza del fabricante | DMP6180SK3-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMP6180SK3-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP6180SK3-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 984.7pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.7W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP6180SK3-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMP6180SK3-13-FT |
BSS138-7
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BSS138TA
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M1A3P250-1PQG208I
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EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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EPF10K130EQC240-3N
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