casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN2104L-7
Número de pieza del fabricante | DMN2104L-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN2104L-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2104L-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.3A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 325pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.4W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2104L-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN2104L-7-FT |
DMG3418L-13
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AGLN060V5-ZVQ100
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10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
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LCMXO640C-4M100C
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EP3SE110F780C2
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10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel