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ZXMN3B04N8TA Image

Diodes Incorporated ZXMN3B04N8TA

Número de pieza de MFG
ZXMN3B04N8TA
Cantidad disponible
99930 Piezas
Precio de referencia
USD 0.60456
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Fecha de envío
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
ZXMN3B04N8TA Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 23.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2480pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN3B04N8TA Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto ZXMN3B04N8TA-FT

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