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Diodes Incorporated ZXMNS3BM832TA

Name: ZXMNS3BM832TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMNS3BM832TA
Availability: InStock
Rating: 4.6 (173 reviews)

Número de pieza de MFG: ZXMNS3BM832TA

Cantidad disponible: 94460 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: ZXMNS3BM832TA.pdf

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ZXMNS3BM832TA Presupuesto

Número de pieza del fabricante	ZXMNS3BM832TA
Número de parte futuro	FT-ZXMNS3BM832TA
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
ZXMNS3BM832TA Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	2.9nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	314pF @ 15V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-MLP, MicroFET (3x2)
Paquete / Caja	8-VDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMNS3BM832TA Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	ZXMNS3BM832TA-FT

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