casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN10H120SFG-7
Número de pieza del fabricante | DMN10H120SFG-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN10H120SFG-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN10H120SFG-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 549pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerDI3333-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN10H120SFG-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN10H120SFG-7-FT |
DMN10H170SFDE-13
Diodes Incorporated
DMN2011UFDE-13
Diodes Incorporated
DMN3016LFDE-13
Diodes Incorporated
DMN30H4D0LFDE-13
Diodes Incorporated
DMN30H4D0LFDE-7
Diodes Incorporated
DMN4020LFDE-13
Diodes Incorporated
DMP2021UFDE-7
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DMP2039UFDE-7
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DMP25H18DLFDE-13
Diodes Incorporated
DMP25H18DLFDE-7
Diodes Incorporated
A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
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XC4028XL-09HQ208C
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
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EPF10K30AQC208-1N
Intel