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Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE-7

Name: DMN30H4D0LFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN30H4D0LFDE-7
Price: 0.173128 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (492 reviews)

Número de pieza de MFG: DMN30H4D0LFDE-7

Cantidad disponible: 62250 Piezas

Precio de referencia: USD 0.173128

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMN30H4D0LFDE-7.pdf

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DMN30H4D0LFDE-7 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DMN30H4D0LFDE-7
Número de parte futuro	FT-DMN30H4D0LFDE-7
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN30H4D0LFDE-7 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	300V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	550mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	187.3pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	630mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (Type E)
Paquete / Caja	6-UDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN30H4D0LFDE-7 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMN30H4D0LFDE-7-FT

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