casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMT10H014LSS-13
Número de pieza del fabricante | DMT10H014LSS-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMT10H014LSS-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMT10H014LSS-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.9A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1871pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT10H014LSS-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMT10H014LSS-13-FT |
DMNH4006SK3-13
Diodes Incorporated
DMNH4011SK3-13
Diodes Incorporated
DMP10H400SK3-13
Diodes Incorporated
DMP45H4D9HK3-13
Diodes Incorporated
DMP6185SK3-13
Diodes Incorporated
DMPH6050SK3-13
Diodes Incorporated
DMTH3004LK3-13
Diodes Incorporated
DMTH4004SK3-13
Diodes Incorporated
DMTH43M8LK3-13
Diodes Incorporated
DMTH6004SK3-13
Diodes Incorporated
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel