casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN30H4D0LFDE-13
Número de pieza del fabricante | DMN30H4D0LFDE-13 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DMN30H4D0LFDE-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN30H4D0LFDE-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 300V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 550mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 300mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 187.3pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 630mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type E) |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN30H4D0LFDE-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN30H4D0LFDE-13-FT |
DMN3024LSS-13
Diodes Incorporated
DMN6066SSS-13
Diodes Incorporated
DMP3015LSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H014LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6005LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6010LSS-13
Diodes Incorporated
ZXMN2A02N8TA
Diodes Incorporated
DMN4025LSD-13
Diodes Incorporated
DMG4407SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4413LSS-13
Diodes Incorporated
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel