casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN3030LFG-7
Número de pieza del fabricante | DMN3030LFG-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN3030LFG-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3030LFG-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.3A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 751pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 900mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerDI3333-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3030LFG-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN3030LFG-7-FT |
DMP2066UFDE-7
Diodes Incorporated
DMN10H170SFDE-13
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
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A3P1000-PQ208
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A42MX16-VQG100M
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