casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZXMN2A02X8TA
Número de pieza del fabricante | ZXMN2A02X8TA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-ZXMN2A02X8TA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXMN2A02X8TA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 11A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1900pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-MSOP |
Paquete / Caja | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN2A02X8TA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZXMN2A02X8TA-FT |
ZVP2120ASTZ
Diodes Incorporated
DMTH10H015LK3-13
Diodes Incorporated
DMNH3010LK3-13
Diodes Incorporated
DMTH4004SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH6021SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH4004LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6010SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH6012LK3-13
Diodes Incorporated
DMNH6021SK3-13
Diodes Incorporated
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel