casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMTH10H015LK3-13
Número de pieza del fabricante | DMTH10H015LK3-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMTH10H015LK3-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMTH10H015LK3-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 52.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1871pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252-4L |
Paquete / Caja | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH10H015LK3-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMTH10H015LK3-13-FT |
DMG4710SSS-13
Diodes Incorporated
DMN2009LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3007LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3007LSSQ-13
Diodes Incorporated
DMN3010LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3018SSS-13
Diodes Incorporated
DMN4800LSSL-13
Diodes Incorporated
DMN4800LSSQ-13
Diodes Incorporated
DMP2022LSSQ-13
Diodes Incorporated
DMP2038USS-13
Diodes Incorporated
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation