casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN4800LSSQ-13
Número de pieza del fabricante | DMN4800LSSQ-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMN4800LSSQ-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMN4800LSSQ-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.6A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 798pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.46W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN4800LSSQ-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN4800LSSQ-13-FT |
ZXMP6A18KTC
Diodes Incorporated
DMN10H170SK3Q-13
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Diodes Incorporated
EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
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