casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZVP2120ASTZ
Número de pieza del fabricante | ZVP2120ASTZ |
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Número de parte futuro | FT-ZVP2120ASTZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZVP2120ASTZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 150mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 100pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 700mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVP2120ASTZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZVP2120ASTZ-FT |
DMG4496SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4710SSS-13
Diodes Incorporated
DMN2009LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3007LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3007LSSQ-13
Diodes Incorporated
DMN3010LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3018SSS-13
Diodes Incorporated
DMN4800LSSL-13
Diodes Incorporated
DMN4800LSSQ-13
Diodes Incorporated
DMP2022LSSQ-13
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel