casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / XP151A11B0MR-G
Número de pieza del fabricante | XP151A11B0MR-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-XP151A11B0MR-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XP151A11B0MR-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 150pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XP151A11B0MR-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | XP151A11B0MR-G-FT |
SI2301-TP
Micro Commercial Co
SI2328DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2337DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SN7002NH6327XTSA2
Infineon Technologies
SQ2351ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2361ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
BSS806NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2307BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2307CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2319CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel