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Vishay Siliconix SI2337DS-T1-E3

Número de pieza de MFG
SI2337DS-T1-E3
Cantidad disponible
71130 Piezas
Precio de referencia
USD 0.38048
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SI2337DS-T1-E3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI2337DS-T1-E3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 500pF @ 40V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2337DS-T1-E3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SI2337DS-T1-E3-FT

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