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Vishay Siliconix SI2307BDS-T1-E3

Número de pieza de MFG
SI2307BDS-T1-E3
Cantidad disponible
27060 Piezas
Precio de referencia
USD 0.15884
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SI2307BDS-T1-E3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI2307BDS-T1-E3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 380pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2307BDS-T1-E3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SI2307BDS-T1-E3-FT

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