casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W971GG8SB25I
Número de pieza del fabricante | W971GG8SB25I |
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Número de parte futuro | FT-W971GG8SB25I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W971GG8SB25I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-WBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W971GG8SB25I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W971GG8SB25I-FT |
MT45W4MW16BCGB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
W956D6HBCX7I TR
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W957D6HBCX7I TR
Winbond Electronics
W958D6DBCX7I TR
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W966D6HBGX7I
Winbond Electronics
W966D6HBGX7I TR
Winbond Electronics
W967D6HBGX7I TR
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W968D6DAGX7I TR
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W987D6HBGX6E
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XC3S50A-5FTG256C
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XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
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EP4CGX150CF23I7
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