casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W971GG8SB25I
Número de pieza del fabricante | W971GG8SB25I |
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Número de parte futuro | FT-W971GG8SB25I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W971GG8SB25I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-WBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W971GG8SB25I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W971GG8SB25I-FT |
MT45W4MW16BCGB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
W956D6HBCX7I TR
Winbond Electronics
W957D6HBCX7I TR
Winbond Electronics
W958D6DBCX7I TR
Winbond Electronics
W966D6HBGX7I
Winbond Electronics
W966D6HBGX7I TR
Winbond Electronics
W967D6HBGX7I TR
Winbond Electronics
W968D6DAGX7I TR
Winbond Electronics
W987D6HBGX6E
Winbond Electronics
A42MX36-BGG272
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A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
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EP4CGX110DF27C8N
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EP20K30EFI144-2X
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XC7K480T-L2FFG901I
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XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
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EP1S20F780C5N
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EP1C12F324C7N
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