casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W966D6HBGX7I TR
Número de pieza del fabricante | W966D6HBGX7I TR |
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Número de parte futuro | FT-W966D6HBGX7I TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W966D6HBGX7I TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | PSRAM |
Tecnología | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frecuencia de reloj | 133MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 54-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 54-VFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W966D6HBGX7I TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W966D6HBGX7I TR-FT |
W632GG8KB12I TR
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W632GG8KB15I
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W632GG8KB15I TR
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M2GL010T-FG484
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EP1SGX25DF672C5N
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EPF10K50SFC256-1X
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EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
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XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
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LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
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