casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GG8MB-09
Número de pieza del fabricante | W632GG8MB-09 |
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Número de parte futuro | FT-W632GG8MB-09 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GG8MB-09 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 1066MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 78-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 78-VFBGA (10.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8MB-09 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GG8MB-09-FT |
W9812G6KH-6I
Winbond Electronics
W9812G6KH-6I TR
Winbond Electronics
W9825G6EH-6
Winbond Electronics
W9825G6JH-6 TR
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W9825G6JH-6I
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W9825G6JH-6I TR
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W9825G6KH-5
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W9825G6KH-5 TR
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W9825G6KH-6 TR
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W9825G6KH-6I
Winbond Electronics
APA750-FG896A
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Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
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Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
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Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
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EP2AGX190FF35C4N
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5CEFA2M13C8N
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EP4SGX110FF35C2XN
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