casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W971GG8SB25I TR
Número de pieza del fabricante | W971GG8SB25I TR |
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Número de parte futuro | FT-W971GG8SB25I TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W971GG8SB25I TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-WBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W971GG8SB25I TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W971GG8SB25I TR-FT |
MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
W956D6HBCX7I TR
Winbond Electronics
W957D6HBCX7I TR
Winbond Electronics
W958D6DBCX7I TR
Winbond Electronics
W966D6HBGX7I
Winbond Electronics
W966D6HBGX7I TR
Winbond Electronics
W967D6HBGX7I TR
Winbond Electronics
W968D6DAGX7I TR
Winbond Electronics
W987D6HBGX6E
Winbond Electronics
W987D6HBGX6E TR
Winbond Electronics
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel