casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W971GG8SB25I TR
Número de pieza del fabricante | W971GG8SB25I TR |
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Número de parte futuro | FT-W971GG8SB25I TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W971GG8SB25I TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR2 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
Tiempo de acceso | 400ps |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-WBGA (8x12.5) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W971GG8SB25I TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W971GG8SB25I TR-FT |
MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
W956D6HBCX7I TR
Winbond Electronics
W957D6HBCX7I TR
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W958D6DBCX7I TR
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W966D6HBGX7I
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W966D6HBGX7I TR
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W987D6HBGX6E
Winbond Electronics
W987D6HBGX6E TR
Winbond Electronics
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel