casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GG6AB-12
Número de pieza del fabricante | W632GG6AB-12 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-W632GG6AB-12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GG6AB-12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG6AB-12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GG6AB-12-FT |
W25Q32FWBYIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32FWSSIQ
Winbond Electronics
W25Q32FWSSIQ TR
Winbond Electronics
W25Q64CVSSJG
Winbond Electronics
W25Q64CVSSJG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVSSJP
Winbond Electronics
W25Q64CVSSJP TR
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJG
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJP
Winbond Electronics
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
10M08DAF256C7G
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5SGXMA3E2H29I3L
Intel
EP4CE15E22C8L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
XA7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel