casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W25Q64CVSSJP TR
Número de pieza del fabricante | W25Q64CVSSJP TR |
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Número de parte futuro | FT-W25Q64CVSSJP TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SpiFlash® |
W25Q64CVSSJP TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8) |
Frecuencia de reloj | 80MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50µs, 3ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q64CVSSJP TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W25Q64CVSSJP TR-FT |
SX-3130-1658
Cypress Semiconductor Corp
TC58CYG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CYG2S0HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMFG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGG9U4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMGT0U8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAU6
Toshiba Memory America, Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel