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Número de pieza del fabricante | TH58BYG3S0HBAI6 |
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Número de parte futuro | FT-TH58BYG3S0HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Benand™ |
TH58BYG3S0HBAI6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Tamaño de la memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | - |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | 67-VFBGA (6.5x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58BYG3S0HBAI6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TH58BYG3S0HBAI6-FT |
S99GL016A
Cypress Semiconductor Corp
S99GL01GP0609
Cypress Semiconductor Corp
S99GL032AB
Cypress Semiconductor Corp
S99GL032AU
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064AB
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064AU
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064N0019
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064N0030
Cypress Semiconductor Corp
S99GL064N90TFI060
Cypress Semiconductor Corp
S99GL08GT
Cypress Semiconductor Corp
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation