casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W25Q32FWSSIQ TR

| Número de pieza del fabricante | W25Q32FWSSIQ TR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-W25Q32FWSSIQ TR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | SpiFlash® |
| W25Q32FWSSIQ TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NOR |
| Tamaño de la memoria | 32Mb (4M x 8) |
| Frecuencia de reloj | 104MHz |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 60µs, 5ms |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | SPI - Quad I/O, QPI |
| Suministro de voltaje | 1.65V ~ 1.95V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| W25Q32FWSSIQ TR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | W25Q32FWSSIQ TR-FT |

SST39WF800B-70-4C-C2QE
Microchip Technology

STK10C68-5C45M
Cypress Semiconductor Corp

STK14C88-L45I
Cypress Semiconductor Corp

STK14C88A-WAF
Cypress Semiconductor Corp

SX-3130-1658
Cypress Semiconductor Corp

TC58CYG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG2S0HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMFG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMFG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.

XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.

XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.

M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation

A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation

A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation

M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation

EP4CE10F17A7N
Intel

EPF10K30EFC256-3
Intel

LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K100EFC324-1
Intel