casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / VUO35-12NO7
Número de pieza del fabricante | VUO35-12NO7 |
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Número de parte futuro | FT-VUO35-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUO35-12NO7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Three Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.2kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 38A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 15A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | PWS-A |
Paquete del dispositivo del proveedor | PWS-A |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO35-12NO7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VUO35-12NO7-FT |
VBE17-06NO7
IXYS
VBE20-20NO1
IXYS
VBE26-06NO7
IXYS
VBE26-12NO7
IXYS
VBE55-12NO7
IXYS
VBO105-08NO7
IXYS
VBO105-12NO7
IXYS
VBO105-16NO7
IXYS
VBO125-08NO7
IXYS
VBO125-12NO7
IXYS
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel