casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / VBO105-08NO7
Número de pieza del fabricante | VBO105-08NO7 |
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Número de parte futuro | FT-VBO105-08NO7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO105-08NO7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 107A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.09V @ 40A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | PWS-C |
Paquete del dispositivo del proveedor | PWS-C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO105-08NO7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VBO105-08NO7-FT |
CD-DF406S
Bourns Inc.
CD-DF406SL
Bourns Inc.
CD-DF408S
Bourns Inc.
CD-DF408SL
Bourns Inc.
CD-DF410SL
Bourns Inc.
CD-HD004
Bourns Inc.
CD-HD006
Bourns Inc.
CD-HD01
Bourns Inc.
CD-HD2004
Bourns Inc.
CD-HD2006
Bourns Inc.
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel