casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / VBE26-12NO7
Número de pieza del fabricante | VBE26-12NO7 |
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Número de parte futuro | FT-VBE26-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBE26-12NO7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.2kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 32A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.73V @ 15A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | ECO-PAC1 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ECO-PAC1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBE26-12NO7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VBE26-12NO7-FT |
CD-MBL210S
Bourns Inc.
CD-HD201
Bourns Inc.
CD-DF406S
Bourns Inc.
CD-DF406SL
Bourns Inc.
CD-DF408S
Bourns Inc.
CD-DF408SL
Bourns Inc.
CD-DF410SL
Bourns Inc.
CD-HD004
Bourns Inc.
CD-HD006
Bourns Inc.
CD-HD01
Bourns Inc.
AT6002A-2AC
Microchip Technology
XC2VP30-6FG676I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
5AGXMA7D4F27C5N
Intel
LFE2M35SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C6N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP4SGX290FF35I3
Intel