casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-6TQ040STRR-M3
Número de pieza del fabricante | VS-6TQ040STRR-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-6TQ040STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-6TQ040STRR-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 40V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 600mV @ 6A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 800µA @ 40V |
Capacitancia a Vr, F | 400pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-6TQ040STRR-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-6TQ040STRR-M3-FT |
VS-20ETF10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel