casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-20ETF10STRR-M3
Número de pieza del fabricante | VS-20ETF10STRR-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-20ETF10STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-20ETF10STRR-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.31V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 400ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETF10STRR-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-20ETF10STRR-M3-FT |
VS-15ETL06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETH06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETH06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETH06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel