casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VS-30CTQ100GSTRLP
Número de pieza del fabricante | VS-30CTQ100GSTRLP |
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Número de parte futuro | FT-VS-30CTQ100GSTRLP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-30CTQ100GSTRLP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 30A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 550µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ100GSTRLP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-30CTQ100GSTRLP-FT |
UGB10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18ACT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18ACT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18ACTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18ACTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18BCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A42MX36-CQ256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
5SGXEA7K2F40I2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation