casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / UGB18BCT-E3/81
Número de pieza del fabricante | UGB18BCT-E3/81 |
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Número de parte futuro | FT-UGB18BCT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB18BCT-E3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 18A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 9A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB18BCT-E3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UGB18BCT-E3/81-FT |
MBRB30H100CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel