casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / UGB10GCTHE3/81
Número de pieza del fabricante | UGB10GCTHE3/81 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-UGB10GCTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB10GCTHE3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB10GCTHE3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | UGB10GCTHE3/81-FT |
MBRB3045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H100CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel