casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VB20120C-M3/8W
Número de pieza del fabricante | VB20120C-M3/8W |
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Número de parte futuro | FT-VB20120C-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB20120C-M3/8W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 120V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 700µA @ 120V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20120C-M3/8W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VB20120C-M3/8W-FT |
VB60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30200C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2045CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT6045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVB32-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel