casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / BYVB32-50-E3/81
Número de pieza del fabricante | BYVB32-50-E3/81 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BYVB32-50-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYVB32-50-E3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 18A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.15V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVB32-50-E3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYVB32-50-E3/81-FT |
V10DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM150CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D202CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V4000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6F17C8L
Intel
XC6VLX550T-1FFG1759I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19I7N
Intel
5CEFA7U19C8N
Intel
EPF10K100EBC356-2N
Intel
EP1S80F1020C5N
Intel
EP20K1500EFC33-3
Intel