casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / VB30200C-E3/8W
Número de pieza del fabricante | VB30200C-E3/8W |
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Número de parte futuro | FT-VB30200C-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB30200C-E3/8W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 15A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 160µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30200C-E3/8W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VB30200C-E3/8W-FT |
VT30L60CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT4045CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT6045CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTS40100CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30D202C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D60CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10DM150CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation