casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VB10150S-E3/8W
Número de pieza del fabricante | VB10150S-E3/8W |
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Número de parte futuro | FT-VB10150S-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB10150S-E3/8W Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 150µA @ 150V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB10150S-E3/8W Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VB10150S-E3/8W-FT |
VS-HFA08TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH03S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA06TB120SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB3045S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10100-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel