casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-HFA06TB120S-M3
Número de pieza del fabricante | VS-HFA06TB120S-M3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-VS-HFA06TB120S-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFRED® |
VS-HFA06TB120S-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 3.9V @ 12A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 80ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA06TB120S-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-HFA06TB120S-M3-FT |
RGL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34JHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34JHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34KHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT85S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW76-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel