casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VS-HFA08TB120S-M3
Número de pieza del fabricante | VS-HFA08TB120S-M3 |
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Número de parte futuro | FT-VS-HFA08TB120S-M3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFRED® |
VS-HFA08TB120S-M3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 4.3V @ 16A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 95ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA08TB120S-M3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VS-HFA08TB120S-M3-FT |
RGL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34J-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34JHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34JHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34KHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation