casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TSM70N600CH C5G
Número de pieza del fabricante | TSM70N600CH C5G |
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Número de parte futuro | FT-TSM70N600CH C5G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM70N600CH C5G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 743pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 83W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-251 (IPAK) |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM70N600CH C5G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TSM70N600CH C5G-FT |
TPH14006NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1400ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH4R606NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN2010FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN22006NH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN3300ANH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN2R703NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN30008NH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN11003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN11006NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-7000HE-6TG144I
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XC6SLX25-N3FGG484I
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M2GL090T-FG484
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M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel