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Toshiba Semiconductor and Storage TPN2010FNH,L1Q
- Número de pieza de MFG
- TPN2010FNH,L1Q
- Cantidad disponible
- 83120 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.5096
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- Fecha de envío
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- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- TPN2010FNH,L1Q.pdf
TPN2010FNH,L1Q Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | TPN2010FNH,L1Q |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TPN2010FNH,L1Q |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | U-MOSVIII-H |
| TPN2010FNH,L1Q Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.6A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 600pF @ 100V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPN2010FNH,L1Q Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TPN2010FNH,L1Q-FT |
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