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Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH,LQ
- Número de pieza de MFG
- TPN22006NH,LQ
- Cantidad disponible
- 72800 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.2552
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- Fecha de envío
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- fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descripción
- U-MOSVIII-H MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- TPN22006NH,LQ.pdf
TPN22006NH,LQ Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | TPN22006NH,LQ |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-TPN22006NH,LQ |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | U-MOSVIII-H |
| TPN22006NH,LQ Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 710pF @ 30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TPN22006NH,LQ Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | TPN22006NH,LQ-FT |
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