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Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CH C5G

Name: TSM60NB1R4CH C5G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM60NB1R4CH C5G
Price: 0.72 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (334 reviews)

Número de pieza de MFG: TSM60NB1R4CH C5G

Cantidad disponible: 94600 Piezas

Precio de referencia: USD 0.72

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción: - MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TSM60NB1R4CH C5G.pdf

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TSM60NB1R4CH C5G Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TSM60NB1R4CH C5G
Número de parte futuro	FT-TSM60NB1R4CH C5G
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM60NB1R4CH C5G Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.12nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	257.3pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	28.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM60NB1R4CH C5G Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TSM60NB1R4CH C5G-FT

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